摘要：:三星電子,GAA架構(gòu),半導(dǎo)體芯【手機中國新聞】據(jù)外媒報道，三星公布，在位于韓國華城的工場開始了3nm半導(dǎo)體芯片的初期出產(chǎn)。與利用FinFET的上一代芯片差異，三星利用了GAA (Gate All Around)晶體管架構(gòu)，大大提高了
【手機中國新聞】據(jù)外媒報道，三星公布，在位于韓國華城的工場開始了3nm半導(dǎo)體芯片的初期出產(chǎn)。與利用FinFET的上一代芯片差異，三星利用了GAA (Gate All Around)晶體管架構(gòu)，大大提高了功率。
三星電子的3nm芯片回收了MBCFET (Multi-Bridge-Channel FET) GAA架構(gòu)，通過低落電源電壓和加強驅(qū)動電流本領(lǐng)，能有效提高功率。而且，三星還在高機能智妙手機處理懲罰器的半導(dǎo)體芯片中也利用過納米片晶體管。與納米線技能對比，擁有更寬通道的納米片具有更高的機能和效率。三星電子的客戶可以通過調(diào)解納米片的寬度，來定制本身需要的功耗和機能指標(biāo)。
三星工場外部
為了輔佐芯片客戶和相助同伴設(shè)計更好的芯片，并驗證他們的想法需求，三星代工提供了一個不變的設(shè)計情況。通過SAFE(三星先進代工生態(tài)系統(tǒng))相助同伴，如Ansys、Cadence、西門子和Synopsys，客戶可以淘汰芯片設(shè)計、驗證和核準進程所需的時間，并提高產(chǎn)物的靠得住性。
三星電子總裁兼代工認真人Siyoung Choi博士暗示:“三星電子將把下一代技能應(yīng)用于制造業(yè)方面，并繼承揭示出領(lǐng)先職位。我們將在競爭性技能開拓方面繼承努力創(chuàng)新，成立有助于加速技能成熟度的流程?！?/p> 三星電子,GAA架構(gòu),半導(dǎo)體芯http://ln6487g.cn/news/xingyezixun/138175.html
(責(zé)任編輯：admin)
免責(zé)聲明：文章內(nèi)容及圖片來自網(wǎng)絡(luò)上傳，如有侵權(quán)請聯(lián)系我們刪除