摘要：:3D NAND,128內存,3D內存【CNMO新聞】4月13日，長江存儲科技有限責任公司公布其128層QLC 3D NAND 閃存（X2-6070）研發(fā)樂成，并在多家節(jié)制器廠商SSD等終端存儲產物上通過驗證。長江存儲X2-6070擁有業(yè)內已知型號產物
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【CNMO新聞】4月13日，長江存儲科技有限責任公司公布其128層QLC 3D NAND 閃存（X2-6070）研發(fā)樂成，并在多家節(jié)制器廠商SSD等終端存儲產物上通過驗證。長江存儲X2-6070擁有業(yè)內已知型號產物中最高單元面積貯儲密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量，同時長江存儲還宣布了128層512Gb TLC（3 bit/cell）規(guī)格閃存芯片（X2-9060）。
據悉，每顆X2-6070 QLC閃存芯片擁有128層三維倉庫，共有高出3,665億個有效的電荷俘獲型（Charge-Trap）存儲單位 ，每個存儲單位可存儲4字位（bit）的數據，共提供1.33Tb的存儲容量。在I/O讀寫機能方面，X2-6070及X2-9060均可在1.2V Vccq電壓下實現1.6Gbps（Gigabits/s 千兆位/秒）的數據傳輸速率。 長江存儲市場與銷售高級副總裁龔翊（Grace）暗示：“作為閃存行業(yè)的新人，長江存儲用短短3年時間實現了從32層到64層再到128層的超過。這既是數千長存人汗水的凝結，也是全球財富鏈上下游通力協(xié)作的成就。跟著Xtacking 3D NAND,128內存,3D內存http://ln6487g.cn/news/xingyezixun/14621.html (責任編輯：admin) 
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