摘要：:平澤2號(hào)工場,三星電子,三【CNMO新聞】三星電子于8月30日暗示，平澤2號(hào)半導(dǎo)體工場已經(jīng)產(chǎn)出首批D-RAM產(chǎn)物。據(jù)相識(shí)，平澤2號(hào)半導(dǎo)體工場將認(rèn)真出產(chǎn)半導(dǎo)體行業(yè)首款應(yīng)用EUV(極紫外光刻)工藝的尖端第三代10納米級(jí)(
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【CNMO新聞】三星電子于8月30日暗示，平澤2號(hào)半導(dǎo)體工場已經(jīng)產(chǎn)出首批D-RAM產(chǎn)物。據(jù)相識(shí)，平澤2號(hào)半導(dǎo)體工場將認(rèn)真出產(chǎn)半導(dǎo)體行業(yè)首款應(yīng)用EUV(極紫外光刻)工藝的尖端第三代10納米級(jí)(1z) LPDDR5 Mobile D-RAM產(chǎn)物。
平澤2號(hào)工場產(chǎn)出的16Gb LPDDR5 Mobile D-RAM產(chǎn)物是第一次操作EUV工藝量產(chǎn)的存儲(chǔ)芯片。三星電子暗示，這款產(chǎn)物擁有世上最大的容量和最快的運(yùn)轉(zhuǎn)速度，是業(yè)內(nèi)第一款第三代10納米(1z)級(jí) LPDDR5產(chǎn)物。 為應(yīng)對(duì)市場對(duì)EUV工藝尖端產(chǎn)物的需求，三星電子從本年5月開始在平澤2號(hào)工場制作代工出產(chǎn)線，從6月份開始制作NAND閃存半導(dǎo)體出產(chǎn)線、應(yīng)對(duì)市場對(duì)尖端V NAND產(chǎn)物的需求。這兩條流水線都將在2021年下半年正式投產(chǎn)。
三星電子暗示，“以量產(chǎn)D-RAM產(chǎn)物為起點(diǎn)，平澤2號(hào)工場還將建成新一代V NAND、超風(fēng)雅代工產(chǎn)物出產(chǎn)線，成為高科技綜合出產(chǎn)工場，為公司在第四次家產(chǎn)革命時(shí)代拉開半導(dǎo)體技能的差距發(fā)揮焦點(diǎn)浸染”。 平澤2號(hào)工場,三星電子,三http://ln6487g.cn/news/xingyezixun/31605.html (責(zé)任編輯：admin) 
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