EVEYC122.8更新了什么相信小同伴們都是想知道的吧？所以本日小編為各人帶來(lái)的就是EVEYC122.8更新內(nèi)容一覽，下面就讓我們一起來(lái)相識(shí)一下吧。

EVEYC122.8更新內(nèi)容一覽

　　特色和變動(dòng)

　　裝備：

　　對(duì)電壓式裝甲附甲的科技品級(jí)舉辦了調(diào)解

　　組名稱(chēng)改觀：

　　· 電壓式裝甲附甲→電壓裝甲薄膜

　　調(diào)解了覆層薄膜的市場(chǎng)組名稱(chēng)：

　　· 電壓式裝甲覆層→覆層電壓薄膜

　　調(diào)解了覆層薄膜裝備的定名法則：

　　· 電壓式裝甲覆層薄膜 I→覆層電壓薄膜 I

　　調(diào)解了抗性薄膜的市場(chǎng)組名稱(chēng)：

　　· 電壓式附甲→電壓裝甲抗性薄膜(母市場(chǎng)組)

　　· 電壓式適應(yīng)性附甲→多譜式電壓薄膜

　　· 電壓式電磁附甲→電磁電壓薄膜

　　· 電壓式爆炸附甲→爆炸電壓薄膜

　　· 電壓式動(dòng)能附甲→動(dòng)能電壓薄膜

　　· 電壓式熱能附甲→熱能電壓薄膜

　　調(diào)解了抗性薄膜裝備的定名法則：

　　· 電壓式適應(yīng)性納米薄膜 I→多譜式電壓薄膜 I

　　· 電壓式電磁薄膜 I→電磁電壓薄膜 I

　　· 電壓式爆炸薄膜 I→爆炸電壓薄膜 I

　　· 電壓式動(dòng)能薄膜 I→動(dòng)能電壓薄膜 I

　　· 電壓式熱能薄膜 I→熱能電壓薄膜 I

　　尖端型裝備改名為“緊湊型”裝備。

　　基本型裝備屬于保藏家物品，一段時(shí)間內(nèi)不會(huì)在游戲中呈現(xiàn)。所有這些裝備均已標(biāo)志為非凡故事線“基本型”裝備。

　　故事線裝備中未收錄電磁抗性裝備和爆炸抗性裝備。增加了兩種新裝備：

　　· 扒手電磁電壓薄膜

　　· 誘惑爆炸電壓薄膜

　　刪除了兩種過(guò)期裝備：

　　· 沙切爾氏改善型電壓式適應(yīng)性納米薄膜

　　· 沙切爾氏改善型電壓式熱能薄膜

　　刪除或替換了部門(mén)裝備：

　　· 改善型電壓式裝甲覆層薄膜 I→緊湊型覆層電壓薄膜

　　· 限量型電壓式裝甲覆層薄膜 I→緊湊型覆層電壓薄膜

　　· 嘗試型電壓式裝甲覆層薄膜 I→緊湊型覆層電壓薄膜

　　· 改善型電壓式適應(yīng)性納米薄膜 I→緊湊型多譜式電壓薄膜

　　· 限量型電壓式適應(yīng)性納米薄膜 I→緊湊型多譜式電壓薄膜

　　· 嘗試型電壓式適應(yīng)性納米薄膜 I→緊湊型多譜式電壓薄膜

　　· 改善型電壓式電磁薄膜 I→緊湊型電磁電壓薄膜

　　· 限量型電壓式電磁薄膜 I→緊湊型電磁電壓薄膜

　　· 嘗試型電壓式電磁薄膜 I→緊湊型電磁電壓薄膜

　　· 改善型電壓式爆炸薄膜 I→緊湊型爆炸電壓薄膜

　　· 限量型電壓式爆炸薄膜 I→緊湊型爆炸電壓薄膜

　　· 嘗試型電壓式爆炸薄膜 I→緊湊型爆炸電壓薄膜

　　· 改善型電壓式動(dòng)能薄膜 I→緊湊型動(dòng)能電壓薄膜

　　· 限量型電壓式動(dòng)能薄膜 I→緊湊型動(dòng)能電壓薄膜

　　· 嘗試型電壓式動(dòng)能薄膜 I→緊湊型動(dòng)能電壓薄膜

　　· 改善型電壓式熱能薄膜 I→緊湊型熱能電壓薄膜

　　· 限量型電壓式熱能薄膜 I→緊湊型熱能電壓薄膜

　　· 嘗試型電壓式熱能薄膜 I→緊湊型熱能電壓薄膜

　　市場(chǎng)中所有有關(guān)上述裝備的訂單都將被取消，相應(yīng)的裝備和資金將償還建設(shè)訂單的腳色。我們將把整個(gè)數(shù)據(jù)庫(kù)中上述范例的所有裝備全部轉(zhuǎn)換為另一種范例的裝備。包羅今朝已裝配于艦船的裝備，以及貨柜或條約里的裝備。

　　衍生品級(jí)改觀：

　　· 勢(shì)力衍生 9→衍生 8

　　· C 型滅亡空間衍生 11→衍生 10

　　· A 型滅亡空間衍生 13→衍生 14

　　· X 型滅亡空間衍生 14→衍生 16

　　· 官員衍生 12→衍生 13

　　· 官員衍生 13→衍生 15

　　· 官員衍生 14→衍生 17

　　屬性變動(dòng)：

　　· 基本型覆層電壓薄膜：體積 5.0 (25.0)，CPU 18.0 (20.0)，裝甲值加成 1.11 (1.1)

　　· 覆層電壓薄膜 I：體積 5.0 (25.0)，裝甲值加成 1.135 (1.125)

　　· 緊湊型覆層電壓薄膜：裝甲值加成 1.145 (1.125)

　　· 覆層電壓薄膜 II：裝甲生命值加成 1.16 (1.15)

　　· 基本型多譜式電壓薄膜：體積 5.0 (25.0)，CPU 20.0 (24.0)

　　· 多譜式電壓薄膜 I：體積 5.0 (25.0)

　　· 緊湊型多譜式電壓薄膜：所有抗性 -13.5 (-12.0)

　　· 聯(lián)邦水師多譜式電壓薄膜： CPU 20.0 (30.0)

　　· 暗影天蛇多譜式電壓薄膜：CPU 20.0 (30.0)

　　· 克爾魯姆多譜式電壓薄膜 C型：CPU 28.0 (33.0)，所有抗性 -18.0 (-19.55)

　　· 森塔姆多譜式電壓薄膜 C型：所有抗性 -18.88 (-19.55)

　　· 科波姆多譜式電壓薄膜 C型：所有抗性 -18.88 (-19.55)

　　· 布瑞恩氏改善型多譜式電壓薄膜：CPU 28.0 (33.0)，所有抗性 -18.88 (-19.55)

　　· 博卡拉氏改善型多譜式電壓薄膜：所有抗性 -20.2 (-19.55)

　　· 泰瑞氏改善型多譜式電壓薄膜：所有抗性 -20.2 (-19.55)

　　· 克爾魯姆多譜式電壓薄膜 B型：CPU 30.0 (36.0)，所有抗性 -19.76 (-21.1)

　　· 森塔姆多譜式電壓薄膜 B型：所有抗性 -21.08 (-21.1)

　　· 科波姆多譜式電壓薄膜 B型：所有抗性 -21.08 (-21.1)

　　· 圖萬(wàn)氏改善型多譜式電壓薄膜：CPU 30.0 (36.0)，所有抗性 -21.08 (-21.1)

　　· 萊塞勒氏改善型多譜式電壓薄膜：所有抗性 -22.4 (-21.1)

　　· 瑟萊尼氏改善型多譜式電壓薄膜：所有抗性 -22.4 (-21.1)

　　· 克爾魯姆多譜式電壓薄膜 A型：CPU 32.0 (38.0)，所有抗性 -21.96 (-22.65)

　　· 森塔姆多譜式電壓薄膜 A型：所有抗性 -23.28 (-22.65)

　　· 科波姆多譜式電壓薄膜 A型：所有抗性 -23.28 (-22.65)

　　· 塞特勒氏改善型多譜式電壓薄膜：CPU 32.0 (38.0)，所有抗性 -23.28 (-22.65)

　　· 阿勒門(mén)氏改善型多譜式電壓薄膜：所有抗性 -24.6 (-22.65)

　　· 威贊氏改善型多譜式電壓薄膜：所有抗性 -24.6 (-22.65)

　　· 科爾馬克氏改善型多譜式電壓薄膜：CPU 34.0 (40.0)，所有抗性 -25.48 (-24.2)

　　· 切爾姆氏改善型多譜式電壓薄膜：所有抗性 -26.8 (-24.2)

　　· 德拉克里雅氏改善型多譜式電壓薄膜：所有抗性 -26.8 (-24.2)

　　· 基本型電磁電壓薄膜：體積 5.0 (25.0)，CPU 18.0 (20.0)，電磁抗性 -26.0 (-24.0)

　　· 基本型爆炸電壓薄膜：體積 5.0 (25.0)，CPU 18.0 (20.0)，爆炸抗性 -26.0 (-24.0)

　　· 基本型動(dòng)能電壓薄膜：體積 5.0 (25.0)，CPU 18.0 (20.0)，動(dòng)能抗性 -26.0 (-24.0)

　　· 基本型熱能電壓薄膜：體積 5.0 (25.0)，CPU 18.0 (20.0)，熱能抗性 -26.0 (-24.0)

　　· 電磁電壓薄膜 I：體積 5.0 (25.0)，電磁抗性 -27.77 (-26.0)

　　· 爆炸電壓薄膜 I：體積 5.0 (25.0)，爆炸抗性 -27.77 (-26.0)

　　· 動(dòng)能電壓薄膜 I：體積 5.0 (25.0)，動(dòng)能抗性 -27.77 (-26.0)

　　· 熱能電壓薄膜 I：體積 5.0 (25.0)，熱能抗性 -27.77 (-26.0)

　　· 緊湊型電磁電壓薄膜：電磁抗性 -29.0 (-26.0)

　　· 緊湊型爆炸電壓薄膜：爆炸抗性 -29.0 (-26.0)

　　· 緊湊型動(dòng)能電壓薄膜：動(dòng)能抗性 -29.0 (-26.0)

　　· 緊湊型熱能電壓薄膜：熱能抗性 -29.0 (-26.0)

　　· 電磁電壓薄膜 II：電磁抗性-31.06 (-30.0)

　　· 爆炸電壓薄膜 II：爆炸抗性-31.06 (-30.0)

　　· 動(dòng)能電壓薄膜 II：動(dòng)能抗性-31.06 (-30.0)

　　· 熱能電壓薄膜 II：熱能抗性-31.06 (-30.0)

　　· 扒手電磁電壓薄膜：電磁抗性-31.06

　　· 誘惑爆炸電壓薄膜：爆炸抗性-31.06

　　· 黑手黨動(dòng)能電壓薄膜：動(dòng)能抗性-31.06 (-30.0)

　　· 月光熱能電壓薄膜：熱能抗性-31.06 (-30.0)

　　· 聯(lián)邦水師電磁電壓薄膜：CPU 18.0 (25.0)，電磁抗性 -31.06 (-30.0)

　　· 聯(lián)邦水師爆炸電壓薄膜：CPU 18.0 (25.0)，爆炸抗性 -31.06 (-30.0)

　　· 聯(lián)邦水師動(dòng)能電壓薄膜：CPU 18.0 (25.0)，動(dòng)能抗性 -31.06 (-30.0)

　　· 聯(lián)邦水師熱能電壓薄膜：CPU 18.0 (25.0)，熱能抗性 -31.06 (-30.0)

　　· 暗影天蛇電磁電壓薄膜：CPU 18.0 (25.0)，電磁抗性-31.06 (-30.0)

　　· 暗影天蛇爆炸電壓薄膜：CPU 18.0 (25.0)，爆炸抗性-31.06 (-30.0)

　　· 暗影天蛇動(dòng)能電壓薄膜：CPU 18.0 (25.0)，動(dòng)能抗性-31.06 (-30.0)

　　· 暗影天蛇熱能電壓薄膜：CPU 18.0 (25.0)，熱能抗性-31.06 (-30.0)

　　· 艾瑪達(dá)水師電磁電壓薄膜：電磁抗性-32.7 (-32.0)

　　· 艾瑪達(dá)水師爆炸電壓薄膜：爆炸抗性-32.7 (-32.0)

　　· 艾瑪達(dá)水師動(dòng)能電壓薄膜：動(dòng)能抗性-32.7 (-32.0)

　　· 艾瑪達(dá)水師熱能電壓薄膜：熱能抗性-32.7 (-32.0)

　　· 暗中血襲者電磁電壓薄膜：電磁抗性-32.7 (-32.0)

　　· 暗中血襲者爆炸電壓薄膜：爆炸抗性-32.7 (-32.0)

　　· 暗中血襲者動(dòng)能電壓薄膜：動(dòng)能抗性-32.7 (-32.0)

　　· 暗中血襲者熱能電壓薄膜：熱能抗性-32.7 (-32.0)

　　· 帝國(guó)水師電磁電壓薄膜：電磁抗性-32.7 (-32.0)

　　· 帝國(guó)水師爆炸電壓薄膜：爆炸抗性-32.7 (-32.0)

　　· 帝國(guó)水師動(dòng)能電壓薄膜：動(dòng)能抗性-32.7 (-32.0)

　　· 帝國(guó)水師熱能電壓薄膜：熱能抗性-32.7 (-32.0)

　　· 卡尼迪水師電磁電壓薄膜：電磁抗性-32.7 (-32.0)

　　· 卡尼迪水師爆炸電壓薄膜：爆炸抗性-32.7 (-32.0)

　　· 卡尼迪水師動(dòng)能電壓薄膜：動(dòng)能抗性-32.7 (-32.0)

　　· 卡尼迪水師熱能電壓薄膜：熱能抗性-32.7 (-32.0)

　　· 薩沙愛(ài)國(guó)者電磁電壓薄膜：電磁抗性-32.7 (-32.0)

　　· 薩沙愛(ài)國(guó)者爆炸電壓薄膜：爆炸抗性-32.7 (-32.0)

　　· 薩沙愛(ài)國(guó)者動(dòng)能電壓薄膜：動(dòng)能抗性-32.7 (-32.0)

　　· 薩沙愛(ài)國(guó)者熱能電壓薄膜：熱能抗性-32.7 (-32.0)

　　· 克爾魯姆電磁電壓薄膜 C型：CPU 24.0 (28.0)，電磁抗性-32.7 (-33.2)

　　· 克爾魯姆爆炸電壓薄膜 C型：CPU 24.0 (28.0)，爆炸抗性-32.7 (-33.2)

　　· 克爾魯姆動(dòng)能電壓薄膜 C型：CPU 24.0 (28.0)，動(dòng)能抗性-32.7 (-33.2)

　　· 克爾魯姆熱能電壓薄膜 C型：CPU 24.0 (28.0)，熱能抗性-32.7 (-33.2)

　　· 森塔姆電磁電壓薄膜 C型：電磁抗性-33.42 (-33.2)

　　· 森塔姆爆炸電壓薄膜 C型：爆炸抗性-33.42 (-33.2)

　　· 森塔姆動(dòng)能電壓薄膜 C型：動(dòng)能抗性-33.42 (-33.2)

　　· 森塔姆熱能電壓薄膜 C型：熱能抗性-33.42 (-33.2)

　　· 科波姆電磁電壓薄膜 C型：電磁抗性-33.42 (-33.2)

　　· 科波姆爆炸電壓薄膜 C型：爆炸抗性-33.42 (-33.2)

　　· 科波姆動(dòng)能電壓薄膜 C型：動(dòng)能抗性-33.42 (-33.2)

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